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中国在有机场效应晶体管研究方面取得新进展

本文摘要:OFETs是未来有机电子学中*最重要的单元器件,由于其制取工艺非常简单、成本低和柔韧性好等优点,在智能卡、电子商标、电子纸、存储器、传感器和有源矩阵显示器等应用于方面前景辽阔。目前基于有机半导体材料-并五苯的有机场效应晶体管的研究获得了相当大的进展,其主要技术指标,迁移率和电源比已基本超过应用于的拒绝。但是,器件还不存在着夹断电压较高,阈值电压难以掌控等缺点。 聚乙烯咔唑(PVK)是有机光电器件中常用的聚合物主体材料,具备出色的成膜性,较好的载流子存储能力和长的带隙等优点。

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OFETs是未来有机电子学中*最重要的单元器件,由于其制取工艺非常简单、成本低和柔韧性好等优点,在智能卡、电子商标、电子纸、存储器、传感器和有源矩阵显示器等应用于方面前景辽阔。目前基于有机半导体材料-并五苯的有机场效应晶体管的研究获得了相当大的进展,其主要技术指标,迁移率和电源比已基本超过应用于的拒绝。但是,器件还不存在着夹断电压较高,阈值电压难以掌控等缺点。

聚乙烯咔唑(PVK)是有机光电器件中常用的聚合物主体材料,具备出色的成膜性,较好的载流子存储能力和长的带隙等优点。该研究使用20nm薄的PVK薄膜作为缓冲器层,标记并五苯与SiO2的界面,制取了并五苯OFETs。

结果表明,PVK缓冲器层的重新加入明显提高了器件迁移率和电源比(迁移率大约为0.5cm2/Vs,电源比约为107);同时明显减少了器件的夹断电压(器件的夹断电压的*值都大于20V)。另外还找到:接续栅极电压可以转变存储在PVK缓冲器层中的载流子数目,从而构建了在单个器件中接续栅极电压对器件阈值电压的调控。


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